于光通信此一支撑数字社会的关键领域之中，中国能不能达成核心芯片的自主可控，始终是高悬在产业头顶之上的重大课题。
产业链环节与主要差距
涵盖设计、材料外延、晶圆制造与封装测试的中国光芯片产业链完整链条已构建，设计环节国内有数家上市公司及初创企业，外延片环节有武汉敏芯等公司，制造依赖武汉、上海等地特色工艺线，与国际顶尖水平相比，主要差距在高端25G及以上速率激光器芯片如EML的成品率、可靠性，以及硅光集成工艺平台成熟度，还有支撑高端芯片设计、制造的专用软件、核心设备如光刻机、MOCVD仍有进口依赖。
“中国迭代速度”的内涵
有所谓的“中国迭代速度”，其核心驱动力源自庞大且需求迫切之内需市场，下游的光模块以及设备厂商，像华为、中兴、中际旭创，出于供应链安全与成本考量，正积极为国产芯片提供验证和导入机会，这种“应用 - 反馈 - 改进”的快速循环，致使国产芯片能够在实际场景里快速优化迭代 。比如说，一款芯片从送样至批量供货，国内的时间周期或许比国际市场缩短30%以上，这种效率是追赶的关键 。
硅光集成带来的换道机遇
多采用磷化铟、砷化镓等化合物材料的是传统光芯片，而硅光技术却尝试于成熟的硅基平台之上，借助CMOS工艺去制造光器件。这一转变对于中国产业而言是重大机遇，因为它减少了对特殊化合物半导体材料以及工艺的绝对依赖，中国在成熟的硅基芯片制造与封测领域存在更深积累。国内诸多研究机构以及公司，像国家信息光电子创新中心，已在硅光芯片设计、流片以及集成封装方面取得系列突破，有望在新赛道将与国外的差距缩短。
企业的IDM模式与市场突破
像长光华芯这类企业，面对光芯片那有着偏高技术门槛的难题，选用了IDM模式，也就是关键环节自己去完成设计、开始制造以及进行封测，这种模式有助于工艺协同优化，能够让产品性能得到提升，基于这样的情状，长光华芯成功进行了量产出用于数据中心短距离互联的VCSEL芯片、用于5G前传的CW激光器，并且在高端EML芯片方面达成了突破，结束了国外垄断的局面，其产品进入了主流光模块厂商的供应链，达成了确确实实的国产替代。
国产替代的窗口与生态重塑
近年以来，伴随着国际环境所带来的压力，国产化进程得以加速推进。国内下游厂商主动开启了“验证通道”，为国产芯片给予了极为宝贵的试错可能性以及改进契机。如此这般，产业生态从往昔的“以进口作为主要部分、国产起到补充之用”，逐步朝着“以国产占据主导地位、进口作为备用选项”的方向进行重塑。现阶段，2.5G、10G等速率处于低位的芯片已然基本上达成了自给自足的状态，25G芯片正在呈现出快速增长的态势，更高速率芯片的引入进程也在加快，整个供应链的自主韧性明显增强。
政策资本支持与未来方向
以设立科创板的方式，为重资产类型的长光华芯等芯片公司，提供了极为关键的融资途径，以此支撑它们能够持续不断地展开研发投入以及进行产能扩充。企业在未来所采取的战略，普遍呈现为“两条腿走路”这种模式：一方面针对已经成熟的产品（就像100G EML这类），去扩大产能，从而满足当下存在的替代需求；另一方面借助设立基金、合作研发等多种方式，对硅光集成、3.2T高速模块、量子信息光芯片等下一代技术进行前瞻性的布局，以此为长期竞争储备相应的力量。
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